64層TLCで1024GB容量M.2 SSDを製品化 東芝メモリ – EE Times Japan

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順次、出荷拡大へ

 東芝メモリは2017年5月29日、64層積層の3ビット/セル(TLC)の3次元(3D)NAND型フラッシュメモリを用いたNVM Express(NVMe)SSDとして、最大容量1024Gバイトの「XG5シリーズ」を製品化し、一部顧客向けにサンプル出荷を開始したと発表した。2017年7〜9月以降、順次出荷を拡大する。


最大容量1024Gバイトを実現した「XG5シリーズ」 (クリックで拡大)

 新しいNVMe SSDは、東芝メモリ独自の3D NAND技術である「BiCS FLASH」を用いた積層数64層のフラッシュメモリを搭載。PCI Express Gen3(4レーン)と1ビット/セル(SLC)キャッシュを用いて、3000Mバイト/秒のシーケンシャルリードと2100Mバイト/秒のシーケンシャルライト性能を実現した。

待機電力、従来比50%以上減

 消費電力についても従来品(XG3シリーズ)に比べて「単位消費電力あたりの読み書き性能を改善した」(東芝メモリ)とする他、待機中の消費電力も従来品比50%以上低減した3mW以下を実現している。

 XG5シリーズの記憶容量は、1024Gバイトの他、512Gバイト、256Gバイトの3種を用意。いずれも形状はM.2 2280の片面実装タイプで、TCG Opal Version 2.01を採用した自己暗号化機能付モデルも展開する。




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